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电子束曝光

EBL ELS-F125G8 Elionix(Japan)

规格

加速电压:≤125kV;

最小线宽:≤8nm;

光束电流:50pA-15nA;

最小光束尺寸:≤1.7nm

扫描速率:100MHz;

书写场:100um²,500um²;

拼接误差:≤10nm;

最大基板尺寸:≤210mm²;

SEM成像:双通道SED,BSD

没有上一个 下一个:EBPG 5150

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