工艺介绍：
高精度硅基掩模版通过微纳刻蚀技术在硅基底上形成精细图案，用于二维材料的电学和光电研究。原位芯片利用此掩模版在薄膜材料上沉积金属，制备精确的金属电极。
产品应用：
科研人员利用硅基掩模版制备高精度二维材料金属电极，进行电学和光电性质研究。
工艺能力：
最小线宽：2um
非镂空图案最薄：200um
镂空图案最薄：20um
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